[뉴스토피아 = 편집국 ] 국내 연구진이 USB 등 초소형 저장메모리에 사용되는 낸드 플래시의 한계를 극복할 수 있는 자가 정류·저항변화 메모리를 개발했다.

본 소자는 기존 낸드 플래시 대비 정보를 저장하고 쓰는 속도가 1000배 빠르고 용량이 1.5배 높으며 1/2 이하로 작아질 수 있을 뿐 아니라 공정 비용이 낮아 차세대 메모리로 상용화가 기대된다.

현재 연 27조 원 규모의 낸드 플래시 시장을 계승·확대함으로써, 플래시 메모리 시장의 50% 이상을 차지하는 한국 반도체의 경쟁력을 강화할 수 있을 것으로 기대한다.

서울대 황철성 교수(교신저자)가 주도하고 윤정호 박사후연구원 (제1저자)이 수행한 이번 연구는 미래창조과학부가 추진하는 글로벌 연구실 사업의 지원을 받아 수행되었으며, 과학적 성과를 인정받아 재료분야 최고 권위지인 어드밴스드 머터리얼스 (Advanced materials)에 5월 14일 온라인 게재되었다.

황철성 교수는 “동 성과로 차세대 메모리로써 각광받는 저항변화 소자 분야에서 세계적 기술을 선점”하였으며, “새로운 회로 및 소자 구조를 제안하여 감지 증폭기 활용 문제를 해결함으로써, 상용화에 한 걸음 더 나아갔다”고 연구의의를 밝혔다.
 

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